性能
扩散型单晶硅一般由N型单品硅膜片及P型单晶硅应变敏感层组成。压力传盛器用它来完成气电转换是在一块圆形膜片上,利用集成电路的工艺方法设置一个阻值相等曲电阻构成平衡电桥。膜片的四周用一圆环(硅杯)固定。膜片两边有两个压力腔, 一个是和电缆相连接的高压腔: 另一个是和大气相通的低压腔(其结构见附图)。当膜片两边存在压力差时, 膜片上各点存在应力, 4个电阻在应力作用下阻值发生变化,电桥便失击平衡输出相应的电压,此电压和膜片两边的压力差成正比这样, 膜片所受压力差的大小 通过不平衡电桥就直接反殃出相应的输出电压,减免了过去压力传感器中气电转换所用的连动机构。采用扩散硅元件,不但缩小了压力传感器的体积,而且传感性能也稳定多了。
目前有的国家生产的扩散硅膜压力传感器, 采用扩散法在硅膜中制成四个工作桥臂的惠斯登电桥,使用各向异性的腐蚀技术使应力集中到测量区域,而别处仍然保持低应力水平。在相同的振动频率下,选种压力传感器具右更高的灵敏度和的线性度,甚至在三倍于全量程的压力下,性能仍保持不变。
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